半导体质量杂质分析

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.金属杂质分析：钠含量，钾含量，铁含量，铜含量，镍含量，锌含量，铬含量，铝含量，钙含量，镁含量。

2.非金属杂质分析：碳含量，氧含量，氮含量，硫含量，氯含量，氟含量，磷含量，硼含量。

3.痕量元素分析：痕量金属总量，多元素痕量筛查，超痕量元素定量，背景污染评估，元素分布均匀性。

4.颗粒污染分析：颗粒数量，颗粒粒径分布，大颗粒检出，表面颗粒密度，液体颗粒污染，气体颗粒污染。

5.表面污染分析：表面离子残留，表面金属沾污，表面有机残留，表面薄层污染，清洗后残留评估，局部污染定位。

6.有机杂质分析：挥发性有机物，半挥发性有机物，溶剂残留，添加剂残留，分解产物分析，未知有机污染物筛查。

7.离子杂质分析：铵根离子，氯离子，硝酸根离子，硫酸根离子，磷酸根离子，氟离子，钠离子，钾离子。

8.气体纯度分析：主成分纯度，微量水分，微量氧，微量烃类，酸性杂质，碱性杂质，气体交叉污染。

9.化学试剂纯度分析：主成分含量，不挥发残渣，金属杂质，阴阳离子杂质，有机残留，酸碱度偏差，稳定性杂质。

10.晶体材料杂质分析：体内杂质含量，杂质分布，掺杂均匀性，晶界污染，沉淀缺陷相关杂质，深层污染评估。

11.薄膜与镀层杂质分析：薄膜杂质含量，层间污染，界面元素扩散，镀层纯度，异常元素引入，局部成分偏析。

12.失效相关杂质分析：异常点污染源追踪，腐蚀产物分析，迁移离子分析，局部烧蚀残留，封装析出物分析，失效部位成分鉴别。

检测范围

硅片、外延片、抛光片、刻蚀液、清洗液、显影液、剥离液、光刻胶、稀释液、特种气体、电子级酸、电子级碱、超纯水、石英器件、靶材、溅射薄膜、封装基板、引线框架、焊接材料、导电胶

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量金属元素定性与定量分析，适合高纯材料中的多元素同步检测。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于中低含量无机元素分析，可对多种金属杂质进行快速测定。

3.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子杂质检测，适合清洗液、超纯水及化学试剂中的离子残留分析。

4.气相色谱仪：用于挥发性有机杂质、溶剂残留及气体中微量有机污染物的分离与测定。

5.液相色谱仪：用于非挥发性有机杂质、添加剂残留及复杂有机污染物的分离分析。

6.总有机碳分析仪：用于评价液体样品中有机污染总体水平，适合超纯水和电子化学品洁净度监测。

7.激光粒子计数器：用于颗粒数量和粒径分布检测，可评估液体或洁净环境中的颗粒污染水平。

8.扫描电子显微镜：用于观察颗粒形貌、表面污染特征及微区异常部位，可辅助杂质来源判定。

9.能谱分析仪：用于微区元素组成分析，常与显微观察配合开展表面异物和局部污染成分鉴别。

10.辉光放电质谱仪：用于固体高纯材料的体相杂质分析，适合靶材、金属材料及薄膜相关样品检测。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质